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?東芝推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET“SSM6N813R

文章出處:電源 責(zé)任編輯:上海意泓電子科技有限責(zé)任公司 發(fā)表時間:
2020
11-10

東京--東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出搭載高效靜電放電保護(hù)的雙MOSFET“SSM6N813R”,該產(chǎn)品適用于需要耐高電壓和小尺寸的汽車應(yīng)用,包括LED前照燈驅(qū)動器IC。量產(chǎn)出貨將于四月啟動。.


100V的最大漏源極電壓(VDSS)可確保SSM6N813R適用于需要多個LED的前照燈應(yīng)用,高抗靜電能力為此提供支持。SSM6N813R采用最新工藝制造,使用 TSOP6F封裝,具備1.5W的允許功耗和低導(dǎo)通電阻。此外,TSOP6F的封裝尺寸比SOP8封裝小70%。

應(yīng)用場合

汽車LED前照燈驅(qū)動器

特點

    小型封裝
    高靜電保護(hù)等級
    低RDS(ON)

主要規(guī)格
 

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